期刊专题

10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.005

宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计

引用
针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出.采用0.35 μm CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明,基准电压源工作电压为5V时,输出基准电压1.28 V,在-55 ~125℃温度范围内,温度系数可达4.5×10-6/℃,频率1 kHz时,电源抑制比(PSRR)可达-60 dB,100 kHz时,PSRR可达-55 dB,电压基准源芯片面积为0.22 mm×0.15 mm.

宽温度范围、带隙基准、温度稳定性、曲率互补、温度系数

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TN432(微电子学、集成电路(IC))

2015-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

426-430

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2015,40(6)

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