毫米波GaN基HEMT功率MMIC

摘要：

基于标准的SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了毫米波段单片微波集成电路(MMIC)芯片.首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构.以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度.基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能.芯片工艺采用0.2 μm介质栅场板结构提高器件的微波性能.研制的2级功率MMIC在27～ 30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6W,功率附加效率大于15％,功率增益大于9 dB.

关键词：氮化镓、毫米波、模型、功率单片微波集成电路(MMIC)、人工神经网络

所属期刊栏目：40

分类号：TN43;TN304.23(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：417-420,454