NiuPt1-uSivGe1-v/Si0.72Ge0.28界面形貌的改善

摘要：

针对锗硅在形成金属锗硅化物时存在部分应力释放、界面形貌特性变差的问题,提出了在Si0.72Ge0.28上分别外延薄硅(Si)覆盖层和锗硅(Si072Ge0.28)缓冲层的工艺方案.实验结果表明,通过两步快速热退火,两个方案的工艺条件都能形成低阻的NiuPt1-uSitGe1-v和改善NivPt1-uSitGe./Si0.72Ge0.28的界面形貌.但相比较而言,在Si0.72Ge0.28上外延10 nm Si覆盖层的方案能够形成更好的NiuPt1-uSivGe1-t/Si0.72Ge0.28界面形貌.与没有改进的方案相比,该方案形成的肖特基接触更具有更低的肖特基接触势垒高度,更易形成欧姆接触.

关键词：锗硅化物、界面形貌、两步快速热退火、肖特基势垒高度、欧姆接触

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2013ZX02303001-001

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：49-52,67