基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器

摘要：

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％.

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、宽带功率放大器、平衡功率放大器、宽带匹配、3 dB耦合器

所属期刊栏目：40

分类号：TN722.75(基本电子电路)

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：44-48,72