基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片

摘要：

基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5～ 12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等特点.电路由低噪声放大器和多个单刀双掷(SPDT)开关构成.为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构.测试结果表明,在5～ 12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 dB,噪声系数小于4 dB,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于15 dBm.其中,放大器为单电源5V供电,静态电流小于120 mA;开关控制电压为-5 V/0 V.芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm.

关键词：GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)、自偏置结构、收发一体多功能芯片、低噪声放大器、单刀双掷(SPDT)开关

所属期刊栏目：40

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：8-11,62