微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展

摘要：

综述了近几年微波、毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与单片微波集成电路(MMIC)在高效率、宽频带、高功率和先进热管理等方面的应用创新进展.介绍了基于GaN HEMT器件所具有的高功率密度和高击穿电压,采用波形工程原理设计的各类开关模式的高效率功率放大器,以及基于GaN HEMT器件的高功率密度、高阻抗的特点与先进的宽带拓扑电路和功率合成技术相结合的宽频带和高功率放大器.详细介绍了微波高端和毫米波段的高效率、宽频带和高功率放大器,多功能电路和多功能集成的GaN MMIC.最后阐述了由于GaN HEMT的功率密度是其他半导体器件的数倍,其先进热管理的创新研究也成为热点.

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、单片微波集成电路(MMIC)、高效率、宽带、高功率、功率放大器、热管理

所属期刊栏目：40

分类号：TN386;TN43(半导体技术)

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1-7