隔离型达林顿管静态漏电失效分析

摘要：

分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害.对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见.

关键词：高可靠设备、隔离型达林顿、静态漏电、失效分析、磨角染色法

所属期刊栏目：39

分类号：TN323.4;TN306(半导体技术)

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：629-632