蓝宝石图形衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN

摘要：

在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少.通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基于AlN缓冲层的高质量GaN薄膜,利用低温AlN层生长时内部的缺陷,选择性进行腐蚀,形成衬底与外延层界面间的侧向倒斜角,提高光萃取效率;同时在其上继续生长高温AlN,为后续GaN薄膜提供高质量模板.从外延角度出发,以表面形貌及其上生长的GaN薄膜的晶体质量为衡量依据,优化了低温AlN缓冲层以及高温AlN缓冲层的生长参数,优化后LED样品在20 mA测试电流下的光输出功率较参考样品提升了4％.

关键词：氮化镓、氮化铝、图形化衬底、发光二极管、侧向出光

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：609-615