双极大功率晶体管背面工艺优化

摘要：

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件.实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性.

关键词：双极大功率晶体管、背面减薄工艺、背面金属化前清洗工艺、BC正向压降、非均匀性

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：605-608,632