等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用

摘要：

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术.总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点.利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火.利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复.

关键词：等离子体浸没离子注入、束线离子注入、鞘层、FinFET、保形注入

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2009ZX02037

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：596-599,604