基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计

摘要：

研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势.通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS (GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2.另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3V.

关键词：互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺、电阻电容触发NMOS、静电放电(ESD)电路、传输线脉冲(TLP)测试、热效应

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：579-583