AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器

摘要：

采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器.该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围.红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的.对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试.测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5 μm,响应度49 mA/W.

关键词：紫外、红外、双色探测器、异质结、AlGaN/GaN

所属期刊栏目：39

分类号：TN215;TN304.26;TN43(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：575-578