大尺寸硅片超薄技术

摘要：

随着器件小型化技术的发展,硅芯片厚度成为了发展超薄封装的关键问题.为了实现大尺寸硅片减薄到100 μm的批量生产,研究了减薄工艺原理和大尺寸(以直径为200 mm为例)Si片超薄工艺的控制点.通过对不同减薄工艺的对比,分析了减薄工艺不同参数对减薄质量的影响,验证了不同砂轮目数、化学腐蚀工艺对硅片减薄质量、碎片率和背面金属质量的影响.根据实验数据给出了提高减薄质量、降低碎片率、提升生产效率的工艺实现方法,实现了大尺寸硅片超薄厚度的批量生产.

关键词：超薄芯片、超薄封装、减薄工艺、化学腐蚀、背面金属化

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2014-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：442-446