激光退火工艺在绝缘栅双极型晶体管的应用

摘要：

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤.基于一种国产激光退火设备,对激光退火工艺的关键参数如激活率、激活深度与工艺条件之间的关系进行了研究.结果表明:双激光具有比单激光更高的激活率.在使用双激光时,B的激活率与注入剂量有一定的关联,最高激活率可接近80％;磷的激活率也与剂量有一定的关系,最高可以达到100％.对激光退火处理样品进行TEM观察发现,再结晶后的激活区没有晶格缺陷.对采用激光退火工艺的IGBT器件性能分析表明,采用该工艺的器件性能参数基本达到国外竞争对手同类产品的同等水平.

关键词：激光退火、薄片工艺、IGBT、双激光、激活率

所属期刊栏目：39

分类号：YN305;TN249

在线出版日期：2014-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：434-437,451