微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复

摘要：

研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用.在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si (100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试.通过在频率为100 kHz下测量的C-V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高k/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度.通过研究在频率为1 kHz下测量的C-V特性曲线扭结,定性描述高k/金属栅中的慢界面态密度.结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复.此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高k/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱.但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势.

关键词：高k/金属栅、微波退火、缺陷修复、C-V测试、Mo/HfO2/Si

所属期刊栏目：39

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2014-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：428-433