fT为102 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

摘要：

研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的A1GaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8 μm.电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度.制备的器件显示了良好的直流特性和射频特性,在栅偏压为0V时漏电流密度为995 mA/mm,在栅源电压Vgs为-4.5 V时,最大峰值跨导为225 mS/mm;器件的电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为102和147 GHz.高fT值一方面得益于小栅长,另一方面由于小源漏间距减小了源漏沟道电阻.

关键词：AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管(HEMT)、T形栅、源漏间距

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2014-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：419-422