3 mm 波段低噪声放大器

摘要：

基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器.通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能.测试1～40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75～110 GHz器件的S参数,并采用外推的方法建立了器件的噪声模型.电路设计采用ADS仿真软件,采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性,最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器.测试结果显示在92～96 GHz时,带内增益大于20 dB,噪声系数小于4.0 dB.芯片面积3.07 mm×1.75 mm,直流功耗60 mW.

关键词：3mm波段、单片式微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA)、InP HEMT、噪声模型

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2;TN722.3(半导体技术)

在线出版日期：2014-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：410-413,418