一种评价GaN材料电学性能的检测方法

摘要：

提出了一种针对肖特基势垒特性曲线(Cj-Vj曲线)的测量方法(特定电容法).实验测定了特定电容C-V曲线,通过解析处理C-V曲线信息,计算得到肖特基势垒Cj-Vj曲线,以Cj-Vj曲线为应用基础,给出了评价GaN材料电学性能的重要参数施主杂质浓度和内建电压.实验检测了n/n+型硅外延材料,n型GaN体材料和n型GaN/蓝宝石外延材料.结果表明:三种材料的样品,杂质均匀分布;GaN材料施主杂质浓度为5×1016～2× 1018cm-3,Hg-Si势垒内建电压0.605 V,Hg-GaN势垒的内建电压1.18V.该方法检测GaN材料电学参数,具有测试简单,样品无损伤,没有欧姆接触、原则上适合各种衬底材料等优点,显然它更适合检测那些难以制作欧姆接触的半导体材料.

关键词：GaN外延材料、特定电容、肖特基势垒Cj-Vi曲线、内建电压、杂质浓度

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.07(半导体技术)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：388-393