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10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.012

高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术

引用
硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展.在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一.针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响.研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景.

硅通孔(TSV)、SAPS兆声波清洗、3D IC、盲孔清洗、清洗技术

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TN305.97(半导体技术)

2014-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

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13-1109/TN

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2014,39(5)

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