超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜特性

摘要：

通过研究超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60 s与480℃/10 s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni (Pt)硅化物薄膜电阻率最小,均匀性最好,且在600℃依然保持形态稳定.应用此退火条件,Ni0.86Pt0.14在0.5 μm和22 nm CMOS结构片中形成覆盖均匀且性能良好的金属硅化物薄膜,同时没有形成任何尖峰.对于更薄的硅化物,实验结果表明,2 nmNi0.86Pt0.14形成的超薄硅化物界面平整,均匀性好,没有在界面出现Ni0.95Pt0.05金属硅化物的“倒金字塔形”尖峰.结果显示,比较在有、无氩离子轰击的硅表面形成的两种Ni (Pt) Si硅化物薄膜,后者比前者电阻率约低10％～26％,该工艺有望在未来超薄硅化物制作被广泛应用.

关键词：硅化物、尖峰、界面、热稳定、快速热退火(RTA)

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：370-376