50～75 MHz 550 W脉冲功率LDMOSFET器件研制

摘要：

介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)器件的设计原理,分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素.报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通,采用TiSi2/多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频(VHF),大功率LDMOSFET器件.器件在工作频率50～75 MHz、工作电压36 V、工作脉宽10 ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550 W、功率增益大于20 dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5∶1,表现出了良好的微波性能.器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选,性能稳定,具备工程化实用能力.

关键词：LDMOSFET、硅、甚高频(VHF)、长脉冲、大功率

所属期刊栏目：39

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：365-369