具有反射电极的高亮度LED芯片设计

摘要：

根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片.实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1％,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构.实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6％,成功制备出高亮度LED芯片.

关键词：电流阻挡层、Al反射镜、反射电极、化学气相沉积(CVD)、电子束蒸发

所属期刊栏目：39

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：361-364