L波段GaN HEMT器件的研制

摘要：

基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件.该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN/GaN异质结外延材料,通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0.4Ω·mm以内,采用场板技术提高了器件击穿电压,采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔,提高了器件的散热能力及增益.结果表明,采用该技术研制的两胞内匹配GaN HEMT器件在工作频率1.5～1.6 GHz下,实现了输出功率大于66 W、功率增益大于15.2 dB、功率附加效率大于62.2％.

关键词：GaN、内匹配、L波段、功率、高效率

所属期刊栏目：39

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：357-360,369