小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制

摘要：

利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器.将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连.将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标.该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm.

关键词：小型化、低相位噪声、单片微波集成电路(MMIC)、薄膜声体波谐振器(FBAR)、压控振荡器(VCO)

所属期刊栏目：39

分类号：TN43;TN75(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：347-351