抗辐射加固的Σ-△调制器设计

摘要：

针对辐射环境下的传感器应用,设计了一种抗辐射加固的∑-△调制器.通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数.通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量(TID)辐射引起的阈值偏移下仍然工作在饱和区.该调制器用3阶MASH结构实现,为了获得更好的线性度,采用单位量化技术.在TSMC 2P4M工艺下,信号带宽为22 kHz,电源电压3.3V,采样时钟频率为11.264 MHz.仿真结果表明,功耗为39 mW,可达到17 bit以上的有效转换位数.在温度-40～85℃及辐射剂量100 Mrad以下范围内,该设计均保持17 bit以上的有效转换位数,能够在极端环境下有效工作.

关键词：∑-△调制器、抗辐射加固、非理想特性建模、全差分运算放大器、MASH结构

所属期刊栏目：39

分类号：TN76(基本电子电路)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：335-340,346