基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计

摘要：

基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片.全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、共模反馈模块、使能模块和偏置模块.提出了一种具有低输入电容输出驱动模块电路结构,经仿真验证可有效降低LVDS预驱动模块30％的功耗,同时降低29％的信号延时.芯片利用共模反馈机制控制输出信号的共模电平范围,通过环路补偿保证共模反馈电路的环路稳定性.芯片使用3.3V供电电压,经Spice仿真并流片测试,输出信号共模电平1.23 V,差分输出电压347 mV,在400 Mbit/s数据传输速率下单路动态功耗为22 mW.

关键词：低压差分信号传输(LVDS)、绝缘体硅(SOI)、共模反馈、低输入负载、环路补偿

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：326-329,334