1.1 dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器

摘要：

设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积.设计旨在选择合适的输入晶体管,以免除输入电感的使用,减小芯片的面积.经过优化设计,芯片尺寸为0.8 mm×0.8 mm.测试结果表明,放大器在3.4～3.6 GHz频段内实现了1.1 dB的噪声系数以及25.8 dB的小信号增益,带内回波损耗最大值为-16.5 dB.在回波损耗小于-10 dB的范围内,电路带宽拓展到2.8～4.7 GHz,此时增益最小值为20 dB,噪声最大值为1.3 dB.

关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、低噪声放大器(LNA)、单片微波集成电路(MMIC)、噪声优化、回波损耗

所属期刊栏目：39

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：321-325