氧分压对磁控溅射制备IGZO薄膜光电特性的影响

摘要：

通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.015,0.06和0.24 Pa下制备了不同样品.样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪、X射线光电子能谱(XPS)和四点探针等方法进行了测量.实验结果表明,随着氧分压的增大,IGZO薄膜的沉积速率呈下降趋势,不同氧分压的IGZO薄膜的元素比例(In∶Ga∶Zn)差异不大,在可见光的范围内其氧分压为0 Pa以上时,IGZO薄膜平均透过率均超过80％,阻值随氧分压的增加而增大.制作了不同氧分压以IGZO为沟道层的薄膜晶体管,其迁移率为5.93～9.42cm2·V-1·s-1,阈值电压为3.8～9.2 V.

关键词：氧化铟镓锌(IGZO)薄膜、薄膜晶体管(TFT)、磁控溅射、氧分压、光电特性

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.21(半导体技术)

在线出版日期：2014-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：132-136