n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触

摘要：

研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触.在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2× 10-6Ω·cm2.Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃.虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触.使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4H-SiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同.实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因.

关键词：欧姆接触、n型4H-SiC、Ni/Pt和Ti/Pt、碳空位、比接触电阻

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.93(半导体技术)

在线出版日期：2014-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：128-131