ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善

摘要：

栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能.通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理.实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比,经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40％左右,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级.PMOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1％样品失效时间(t01％)和50％样品失效时间(t50％)分别提高28.6％和40.7％.

关键词：原位水汽生成(ISSG)、氮化工艺、栅氧化层、界面态、负偏压不稳定性(NBTI)

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.5;TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家重大科技资助项目2011ZX02501

在线出版日期：2014-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：124-127,141