IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析

摘要：

新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT) IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工.为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能.目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT (ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT.对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较.仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能.因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考.

关键词：载流子局域寿命控制层(LCLC)、内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)、缓冲层局域寿命控制IGBT、折中特性、回跳现象

所属期刊栏目：39

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61176071;教育部博士点基金新教师项目20111103120016;国家电网公司科技项目SGRI-WD-71-13-006

在线出版日期：2014-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：114-118,141