基于GaAs PHEMT的6～10GHz多功能芯片

摘要：

介绍了一种基于GaAs PHEMT工艺的多功能芯片(MFC)设计.该芯片主要用于双向放大,具有低噪声性能和中等功率能力.综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动,选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构,使电路性能达到最优.采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计,并对版图进行电磁场仿真.测试结果表明,在6～10GHz频带内:小信号增益大于18.5 dB,增益平坦度小于±0.2 dB,输入/输出电压驻波比小于1.4:1,噪声系数小于2.2 dB,1 dB压缩点输出功率大于14 dBm.芯片尺寸为2.4 mm×2.6 mm.

关键词：多功能芯片(MFC)、砷化镓、赝高电子迁移率晶体管、单片微波集成电路、大信号模型

所属期刊栏目：39

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：103-107