GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)

摘要：

2.3 大栅宽器件
大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用,2009年报道了栅宽为20 mm的5 A/1 100 V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用[39],器件特点是,栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构.栅长为1.5 μm,栅漏间距为12 μm,栅宽为200 μm的小栅宽器件,其Id为260 mA/mm,比导通电阻为6.2 mΩ·cm2,击穿电压为1 300 V,器件优值VB2/Ron,sp,为272 MW/cm2.20 mm大栅宽器件,Imax为5A,击穿电压为1 100V,导通电阻为0.6Ω,器件的有源面积为1 mm2.

所属期刊栏目：39

分类号：TN323(半导体技术)

在线出版日期：2014-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：81-87