硅中微量硼元素的区熔掺杂

摘要：

以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p型、电阻率为3 000～5 000 Ω·cm的区熔用硅多晶.实验表明,区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程,使杂质在多晶硅中的分布变得更加均匀.在确定的工艺条件下,由于掺杂前及掺杂后多晶硅袖向电阻率的一致性、实验用多晶硅样本的大小、所需掺杂剂剂量的多少等因素均会影响掺杂的准确性,因此需要在相同条件下进行多次实验,通过积累大量的实验数据以实现准确掺杂.

关键词：区熔(FZ)、掺硼、硅、高电阻率、高纯度

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.12;TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63