硅基GaN超级结器件研究

摘要：

提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型.实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25～-0.25 V时,漂移区长度为10 μm的新器件其峰值跨导gm(max)出现最大值约为390 mS/mm,且较为平缓.该器件导通电阻较低,比导通电阻为0.562 5 mΩ·cm2,仅为相同漂移区长度的常规增强型GaN高压器件比导通电阻率2.25 mΩ·cm2的25％.该器件击穿特性与漂移区长度呈较好的线性关系,并在漂移区长度为15μm时,击穿电压接近硅基GaN高压器件的理想击穿电压,约为657 V,比前者器件结构的击穿电压提高了约182 V.

关键词：宽禁带半导体、氮化镓异质结、超级结、F-离子处理技术、比导通电阻

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61274077;江苏省333工程科研资助项目BRA2011115

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：51-55