一种正电控制低温漂单片数控衰减器

摘要：

数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围,因而得到了推广和应用.正电控制、低温漂6 bit数控衰减器,各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构,并通过对衰减结构的合理构建,在不采用电平转换驱动器的情况下,成功实现正电控制,面积得到进一步缩小.对电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片,测试结果表明,在2.4～8 GHz频带内,参考态插入损耗小于4.0 dB;衰减精度小于±1 dB@31.5 dB;回波损耗小于-15 dB;衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0.3 dB以内;各衰减位为0.5,1,2,4,8和16 dB,最大衰减量为31.5 dB.单片数控衰减器芯片最终尺寸为2.9mm×1.3 mm,控制电压为0V和5V.

关键词：低温漂、数控衰减器、正电控制、单片微波集成电路(MMIC)、砷化镓

所属期刊栏目：39

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：46-50