C波段高效率30 W功率放大器研制

摘要：

随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用.GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于大功率、连续波功率放大器设计.基于GaN功率器件大信号模型,采用Microwave Office 2009微波设计软件对功率放大器进行仿真优化,设计并研制出了C波段高效率30 W连续波功率放大器.该放大器功率器件采用了CREE公司C波段GaN HEMT功率器件,实现放大器尺寸为190 mm×50 mm×15 mm,端口阻抗为50 Ω.放大器在5 650～5 950 MHz频带内、28 V工作条件下,连续波输出功率大于30 W,增益大于45 dB,效率大于30％.

关键词：C波段、氮化镓、功率放大器、高效率、连续波(CW)

所属期刊栏目：39

分类号：TN722.75(基本电子电路)

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45