基于GaN HEMT的S波段内匹配功率放大器设计

摘要：

采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器.在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成.该放大器基于中国电子科技集团公司第十三研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片.通过优化设计该放大器在25％的相对带宽、漏源电压28 V、脉宽8 ms和占空比50％的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于70 W,功率附加效率ηPAE大于54％,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景.

关键词：氮化镓、内匹配、宽带、高效率、功率放大器

所属期刊栏目：39

分类号：TN722.75(基本电子电路)

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：38-41,77