60 GHz宽带功率放大器设计

摘要：

随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求.其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用60 GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径.利用成熟的0.15 μm赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一个工作在60 GHZ频段的中功率宽带放大器,频率覆盖50～ 64 GHz,增益12 dB,线性输出功率14 dBm,饱和输出功率16.5 dBm,功率附加效率为12％.性能与65 nm CMOS工艺设计芯片相当,但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65 nm RF CMOS,适用于前期系统验证工作.

关键词：功率放大器、射频(RF)、赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、宽带、无线通信

所属期刊栏目：39

分类号：TN722.75(基本电子电路)

资助基金：国家科技重大专项资助项目2011ZX03004-002-02

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27