基于BiCMOS工艺的180 GHz信号产生、调制与探测电路

摘要：

在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路.正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开关交叉耦合结构在提高振荡器频率的同时,改善了振荡器的相位噪声;采用控制差分尾管电流的跨导切换式的调制方式,对180 GHz信号进行了10 MHz的幅度调制,输出功率为-27 dBm;探测电路主要为肖特基势垒二极管直接检波电路,实现对已调制的180 GHz信号解调.采用IBM 180 nm SiGe BiCMOS工艺进行流片验证,芯片面积为1 000 μm×450μm,测试结果表明探测器能够成功解调太赫兹信号.

关键词：锗硅、太赫兹、振荡器、调制、探测、肖特基势垒二极管(SBD)

所属期刊栏目：39

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金重点资助项目61331003

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：7-13