GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换

摘要：

GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点.GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一.综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成.重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成.最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点.

关键词：常开GaN功率开关器件、常关GaN功率开关器件、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、GaN异质结场效应晶体管(HFET)、增强型器件、功率变换

所属期刊栏目：39

分类号：TN323(半导体技术)

在线出版日期：2014-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-6,13