非晶硅太阳电池背反射电极ZnO∶B薄膜研究

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,以H2O和二乙基锌(Zn(CH2)2)为反应源,硼烷(B2H6,氢气稀释为1％)为掺杂气体,在面积为23 cm×23 cm的普通玻璃衬底上生长ZnO∶B薄膜,分析各工艺参数对薄膜光电特性的影响.结果表明:衬底温度对ZnO∶B薄膜的透过率影响显著,其次是反应压力,B2H6掺杂量对透过率影响较小,但是对电阻率影响十分明显.通过优化工艺条件,在衬底温度为185℃,反应压力为0.5 torr(1 torr=133.3 Pa),B2H6流量为4 cm3/min下获得了厚度为580 nm、在400 ～800 nm光谱范围内透过率大于85％、电阻率为2.78x10-3Ω· cm的ZnO∶B薄膜.将该ZnO∶B薄膜作为背反射电极应用于大面积(23 cm×23 cm)非晶硅及硅锗太阳电池后,可使电池短路电流密度分别增加2.82和1.5 mA/cm2.

关键词：ZnO∶B、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、背反射电极、光电特性、非晶硅太阳电池

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：863-868