基于第一性原理计算的Ti掺杂ZrO2的阻变存储机理

摘要：

基于第一性原理对双Ti掺杂下相邻位置氧空位形成能以及整体缺陷结合能进行计算,阐述不同相对位置双Ti掺杂对氧空位形成以及整体缺陷稳定性的影响.另外通过配置双Ti之间氧空位数量及其价态来研究电子局域函数及Ti离子的部分态密度(PDOS),模拟计算结果说明了既存氧空位及其所带电荷对Ti离子的影响,并且揭示了掺杂的Ti离子对于氧空位电子局域的重要作用.提出了氧空位辅助Ti离子形成局部导电细丝的阻变机制模型,从而解释了实验中得出的Ti掺杂对于ZrO2的形成电压,均匀性等相关阻变性能改进的原因.

关键词：形成能、结合能、局域、态密度、辅助、导电细丝

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：核高基国家重大专项20092X01031-001-004

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：845-850