HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究

摘要：

利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了＜100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响.采用平放肩工艺进行了3～4英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶的生长.通过多次实验,可重复生长出直径80 ～ 110 mm、长62～112 mm的3～4英寸InP单晶锭.介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果.经过统计和分析,认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成,不存在所谓的“临界放肩角”.通过热场调整和工艺控制,可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3～4英寸头部;通过等径控制,可以生长出无孪晶或孪晶较少的高质量InP单晶.

关键词：直径4英寸、InP单晶、平放肩、孪晶、高压液封直拉技术

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项资助项目2011ZX01006-001;国家自然科学基金资助项目61076004

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：840-844,850