p-GaN栅结构GaN HEMT的场板结构研究

摘要：

对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真.仿真结果表明,具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5V.采用栅极场板能缓解电场的集中程度,当场板长度为5μm时,器件击穿电压达到1 100 V.间断型栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分地利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到1 271 V.栅极场板与AlGaN势垒层的距离影响场板对漂移区电场的调控作用,当栅极场板下方介质层厚度为0.24μm时,器件的击穿电压可达1 255 V.

关键词：AlGaN/GaN异质结、高迁移率晶体管(HEMT)、p-GaN 栅、电场峰值、击穿电压、阈值电压

所属期刊栏目：38

分类号：TN386.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11175229

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：831-835