一款超宽带GaAs单片数字移相器

摘要：

分析了单片数字移相器的移相原理,详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺技术设计并制作了一款超宽带6 bit数字移相器.采用ADS Momentum微波设计环境进行了电路仿真,在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试.测试结果表明,6 bit数控移相器在工作频率为8 ～ 12 GHz时,主要移相态的均方根相位误差(RMS)值小于2.0°,回波损耗小于-11 dB,插入损耗为8.0～9.5 dB,插损波动为-0.5 ～0.8 dB,控制电压为-5 V/0 V.6 bit数字移相器的电路尺寸为4.1 mm×1.5 mm,并行输入控制信号,其有效工作带宽达到了40％.

关键词：超宽带、砷化镓、单片微波集成电路(MMIC)、数字移相器、均方根误差(RMS)

所属期刊栏目：38

分类号：TN43;TN623(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：807-811