宇航级晶体管寿命试验

摘要：

选取美国宇航级晶体管2N2219AL同批次的4组(分别为A,B,C和D组)样品进行了寿命试验.A组样品在额定功率PCM为800 mW下进行了6 000 h的工作寿命试验；B,C和D组样品分别在试验应力P为1 200,1 400和1 600 mW下,进行了恒定应力加速寿命试验.对样品电参数直流共发射极电流增益hFE的测试结果表明,hFE呈先增后减的缓慢退化趋势,同时ICBO远小于5 nA的失效标准.试验后,A组样品又在北方实验室环境下贮存了14年,距其制造日期已有32年.对其电参数复测,并与1998年的测试结果对比,没有明显的变化.揭示了高可靠性晶体管在长期工作寿命试验中电参数的变化规律,为其极长的贮存寿命提供了有力的证据.

关键词：宇航级晶体管、工作寿命、长期贮存寿命、加速寿命、hFE、ICBO

所属期刊栏目：38

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：715-718