期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2013.09.013

再布线圆片级封装的温度循环可靠性研究

引用
圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注.按照JEDEC标准对含RDL结构的WLP器件进行了温度循环试验,研究了WLP器件结构对可靠性的影响.结果表明,随样品节距减小,器件的可靠性降低;相同节距时,焊球直径越小可靠性越低.通过失效分析发现了3种与互连结构有关的失效模式,其中一种与RDL结构直接相关,且对大节距的WLP器件可靠性产生了较大影响.结合有限元模拟,对再布线结构圆片级封装的失效机理进行了深入地分析.

圆片级封装(WLP)、再布线层(RDL)、温度循环、失效分析、有限元分析(FEA)

38

TN406(微电子学、集成电路(IC))

国家科技重大专项资助2011ZX02602

2013-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

709-714

暂无封面信息
查看本期封面目录

半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

38

2013,38(9)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn