倒装芯片封装中下填充流场渗透率的数值分析

摘要：

倒装芯片封装中的下填充流场可以假设为多孔介质流场,其渗透率的求解对研究下填充流动过程至关重要.根据下填充流场所具有的周期性结构,通过单胞数值模拟的方法得到了下填充流场的渗透率.通过对渗透率数据的分析,发现了渗透率和下填充流场参数之间的关系,并建立了计算渗透率的幂律模型.其中幂律模型的底是下填充流场的孔隙率,系数仅与芯片和基板的间隙有关,指数仅与芯片和基板的间隙相对于焊球直径的比值有关.通过实例分析表明,与其他模型相比,用基于幂律模型的渗透率所计算出的填充时间更符合实验结果.

关键词：倒装芯片、下填充、渗透率、数值模拟、幂律模型

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：691-696,701