65 nm Cu互连晶片边缘污染和辐射状污染研究

摘要：

随着Si片尺寸加大和特征尺寸的缩小,对Si片的洁净程度、表面的化学态以及表面缺陷等要求越来越高.针对300 mm 65 nm Cu互连晶片清洗后表面常出现边缘和辐射状污染的问题.在理论分析的基础上,研究了缩短化学药液喷射臂和去离子水喷射臂的间隔时间的方法,实现不同喷射臂无间隔连续喷射技术,并优化化学药液喷射臂的摆臂速度、轨迹和起始终止角度等参数.采用北京七星华创电子股份有限公司自主研发的300 mm 65 nm Cu互连单片清洗机进行工艺实验,结果表明:清洗后晶片表面无边缘污染和辐射状污染,清洗后晶片表面临界颗粒直径0.12 μm,临界颗粒数每片30个；临界尺寸变化不大于2％.

关键词：300 mm Si衬底、65 nm Cu互连、边缘污染和辐射状污染、颗粒度、特征尺寸

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2009ZX02005-001

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：676-680